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TL052宽带双JFET输入运算放大器

时间:2019-9-18, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

一般描述特征
这些器件是低成本、高速、双JFET输入OP-N内部微调偏置电压:15毫伏运算放大器,内部微调输入偏置N低输入偏置电流:50帕电压(BI-FET II™技术)。它们要求低电源n低输入噪声电压:16nv/√hz电流,同时保持较大的增益带宽积和快速低输入噪声电流:0.01pa/√hz转换率。此外,匹配良好的高压JFET输入宽增益带宽:4MHz Nn
设备提供非常低的输入偏置和偏置电流。n高转换率:13v/微秒
TL082的引脚与标准LM1558兼容,允许设计师立即升级n低供电电流:3.6毫安现有的LM1558和大多数LM358设计。n高输入阻抗:1012Ω
这些放大器可用于高n低总谐波失真av=10,:<0.02%等应用中。
速度积分器,快速D/A转换器,采样保持电路bw=20hz-20khz电路和许多其他需要低输入偏置电压的电路-低输入偏置电流,高输入阻抗,高转换率和宽频带。该器件还表现出低噪声,快速稳定时间为0.01%:2μs和偏置电压漂移。n低1/f噪声角:50赫兹

典型接线图

绝对最大额定值(注1)输入电压范围(注3)±15V
如果需要军用/航空航天设备,输出短路持续时间-请联系国家半导体销售办公室/存储温度范围-65°C至+150°C的经销商,了解可用性和规格。铅温度。(焊接,10秒)260摄氏度
电源电压±18V ESD额定值待定。
注1:“绝对最大额定值”表示损害超过的限度可能会对设备造成功耗(注2)。运行额定值表示工作温度范围为0°C至+70°C,设备正常工作,但不保证特定的性能限制。
程序提示
这些器件是运算放大器,具有内部修剪的输入偏置电压和JFET输入器件(BI-FET II)。这些JFET具有从栅极到源极和漏极的大反向击穿电压,无需在输入端使用夹具。因此,在不增加输入电流的情况下,可以很容易地调节较大的差动输入电压。最大差动输入电压与电源电压无关。但是,任何一个输入电压都不应超过负电源,因为这将导致大电流流动,从而导致单元损坏

超过任一输入端的负共模限制将导致输出端的相位反转,并强制放大器输出到相应的高或低状态。超过两个输入上的负共模限制将迫使放大器输出进入高状态。在这两种情况下都不会发生锁存,因为再次将输入提高到共模范围内会使输入级,从而使放大器处于正常工作模式。
超过一个输入的正共模极限不会改变输出的相位;但是,如果两个输入都超过极限,放大器的输出将被迫进入高状态。
放大器将以等于正电源的共模输入电压工作;然而,在这种情况下,增益带宽和转换速率可能会降低。当负共模电压在负电源的3v范围内波动时,输入偏置电压可能增加。
每个放大器由一个齐纳参考电压单独偏置,允许在±6V电源上正常电路工作。电源电压低于这些可能会导致较低的增益带宽和转换率。
DS08357-10
放大器将驱动2 kΩ负载电阻至±10 V,在0 303 C至+70 303 C的整个温度范围内。但是,如果放大器被迫驱动较重的负载电流,则在负电压摆动上可能会出现输入偏移电压的增加,并最终在正和负摆动上达到有效电流限制。
应采取预防措施,以确保集成电路的电源在极性上永远不会反转,或确保装置不会无意中向后安装在插座中,因为通过集成电路内产生的正向二极管的无限电流浪涌可能导致内部导体熔合并导致装置损坏。
因为这些放大器是jfet而不是mosfet输入运算放大器,所以不需要特殊处理。
与大多数放大器一样,应注意引线、部件放置和电源去耦,以确保稳定性。例如,从输出端到输入端的电阻应放置在靠近输入端的位置,以便通过最小化从输入端到接地端的电容来最小化“拾波”和最大化反馈极的频率。
当任何放大器周围的反馈为电阻时,就会产生一个反馈极。从设备输入端(通常是反向输入端)到交流接地端的并联电阻和电容设置了磁极的频率。在许多情况下,该极点的频率远远大于闭环增益的预期3db频率,因此对稳定裕度的影响可以忽略不计。然而,如果反馈极小于预期3db频率的约6倍,则应从运放的输出端到输入端放置一个引线电容器。附加电容器的值应使该电容器的rc时间常数及其并联的电阻大于或等于原始反馈极时间常数。

C是独立的独立接地er2、r4和r5控制共模抑制比的匹配A=1400,电阻匹配=0.01%:cmrr=136 dB佛蒙特州非常高的输入阻抗超高CMRR
典型应用(续)

典型应用(续)
所有电位计均为线性锥形?使用LF347四线组进行立体声应用
注8:所有的控制都是平的。
注9:低音和高音增强,中平。
注10:低音和高音,中平。
注11:中提振,低音和高音平坦。
注12:中音,低音和高音平。

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